今天,赶在CES 2017拉开帷幕之前,高通正式发布了旗下首款10nm FinFET工艺制程的骁龙835处理器,采用八核心的Kryo280架构,整体性能更强,同时由于采用10nm FinFET工艺制造,芯片功耗更低。
骁龙835最明显的特点就是采用10nm FinFET工艺制造,整个芯片封装尺寸减小35%,功耗降低了25%(比骁龙801降低了50%)。作为高通今年的旗舰级移动处理器,骁龙835采用了高通自助的Kryo280架构,采用4大核+4小核的设计,大小核最高主频分别为2.45GHz和1.9GHz。并集成了Adreno 540 GPU,支持4K显示分辨率;支持4K屏、UFS 2.1闪存标准,LPDDR4x四通道内存、VR、类iPhone 7 Plus双摄和Quick Charge 4.0快速充电技术。
另外,在基带方面,骁龙835集成了X16 LTE调制解调器,支持Cat.16下行/Cat.13上行,最高下载速度可达1Gbps。同时还集成了2x2 11ac MU-MIMO技术,支持802.11ad Wi-Fi(60GHz)、蓝牙5等。
目前,骁龙835处理器已经投产,预计今年上半年我们就可以见到搭载骁龙835芯片的智能手机了,让我们一起拭目以待吧!
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